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嵌入式系統的硬件架構

           

    嵌(qian)入(ru)式系統主要由(you)嵌(qian)入(ru)式微(wei)處理(li)器、外圍硬件(jian)設備、嵌(qian)入(ru)式操作系統以及用戶(hu)應用軟件(jian)等部分(fen)組(zu)成,其體系結構如(ru)下圖(tu)所示。


嵌入式系統體系結構圖

    從該圖中(zhong)可以清楚地(di)看到(dao)嵌(qian)(qian)入式(shi)系(xi)統體(ti)系(xi)結構(gou)上(shang)下層之間的(de)(de)關系(xi)。其中(zhong),硬件(jian)平臺包括嵌(qian)(qian)入式(shi)處(chu)理器(qi)和外(wai)圍設(she)備,它們(men)位于(yu)嵌(qian)(qian)入式(shi)系(xi)統結構(gou)中(zhong)的(de)(de)底層;嵌(qian)(qian)入式(shi)操作(zuo)(zuo)系(xi)統與通用(yong)操作(zuo)(zuo)系(xi)統的(de)(de)功能類似,為(wei)用(yong)戶(hu)屏蔽硬件(jian)底層的(de)(de)具體(ti)細節,提供(gong)了一個(ge)透(tou)明的(de)(de)操作(zuo)(zuo)空間;而應用(yong)軟件(jian)則是位于(yu)嵌(qian)(qian)入式(shi)操作(zuo)(zuo)系(xi)統之上(shang)的(de)(de),當然,用(yong)戶(hu)也可以直接在嵌(qian)(qian)入式(shi)操作(zuo)(zuo)系(xi)統之上(shang)進行開發。

    本文(wen)主要(yao)來(lai)介紹一(yi)下嵌入(ru)式系統的(de)硬件架(jia)構,也就是嵌入(ru)式處理器(qi)以及(ji)外圍設備的(de)相關知識。

    1.嵌入式處理器

    嵌入式處理器是各嵌入式系統的核心部件,其功耗、體積、成本、可靠性、速度、處理能力、電磁兼容性等方面均受到應用要求的制約,嵌入式處理器包含以下部分:
    處理器內核;
    地址總線;
    數據總線;
    控制總線;
    處理器本身的輔助支持電路,如時鐘、復位電路等;
    片上I/O接口電路。

    嵌入(ru)式處理器可以分為3類:嵌入(ru)式微處理器、嵌入(ru)式微控制器和(he)嵌入(ru)式DSP(Digital Signal Processor)。

    嵌(qian)入式(shi)微處(chu)理器(qi)就是和(he)通用計(ji)(ji)算機(ji)的(de)微處(chu)理器(qi)對應的(de)CPU。在(zai)應用中,一般是將微處(chu)理器(qi)裝配在(zai)專(zhuan)門(men)設計(ji)(ji)的(de)電路板上,母板上只保(bao)留與嵌(qian)入式(shi)相關的(de)功能即(ji)可,這(zhe)樣可以滿(man)足嵌(qian)入式(shi)系統體積小、功耗低的(de)要求。

    嵌入式(shi)微控(kong)制器又稱單(dan)片機,它將(jiang)CPU、存儲器(少(shao)量的RAM、ROM,或(huo)兩者都有)和其他外(wai)設封裝在同一片集成電路里。

    嵌入式DSP專(zhuan)門(men)用來對離散時間(jian)信號進(jin)行極快(kuai)的處理計算,提(ti)高編譯(yi)效(xiao)率和執行速度。DSP正在大(da)量(liang)進(jin)入數字濾波、FFT、譜分析、圖像(xiang)處理等領域。

    本書所講的嵌入式處理器主要指嵌入式微處理器。(推薦閱讀:如何選擇嵌入式微處理器)

    嵌入式微(wei)處(chu)理器與通用微(wei)處(chu)理器既(ji)有相似之處(chu),也有不少的區別(bie),其比較如下(xia)。

    相似點有以下兩項。

    對外的接口:各類總線及輔助電路接口。
    處(chu)理功(gong)能:相似的指(zhi)令(ling)功(gong)能分類(lei)。

    不同點有以下幾項。
    指令系統中指令的個數:嵌入式微處理器的指令個數與通用處理器有很大的區別,嵌入式微處理器的指令系統往往由于成本等原因而有所精簡,比如有些嵌入式處理器無浮點功能等。
    指令的形式:嵌入式微處理器一般都使用精簡指令集(RISC),而通用處理器則使用復雜指令集(CISC)。
    處理器的結構設計:嵌入式微處理器與通用處理器在結構設計上有較大的區別,如流水線結構的設計。
    處理器的工藝和應用指標:由于嵌入式系統通常應用在特殊的場合,因此,對處理器的工藝及應用指標(如工作的溫度條件等)也有不同的要求。

    小知識:
    常見的CPU指令集分為CISC和RISC兩種。
    CISC(Complex Instruction SetComputer)是“復雜指令集”。自PC機誕生以來,32位以前的處理器都采用CISC指令集方式。這種指令系統的指令不等長,指令的數目非常多,編程和設計處理器時都較為麻煩。但是基于CISC指令架構系統設計的軟件已經非常普遍了,所以包括Intel、AMD在內的眾多廠商至今使用的仍為CISC。
    RISC(Reduced Instruction SetComputing)是“精簡指(zhi)(zhi)令(ling)集(ji)”。研究人員(yuan)在對(dui)CISC指(zhi)(zhi)令(ling)集(ji)進行測試時發現,各種(zhong)指(zhi)(zhi)令(ling)的(de)使用(yong)頻(pin)度相當(dang)懸(xuan)殊,其中常使用(yong)的(de)是一些比較簡單的(de)指(zhi)(zhi)令(ling),它(ta)們僅占指(zhi)(zhi)令(ling)總數(shu)的(de)20%,但在程序中出現的(de)頻(pin)度卻占80%。RISC正是基(ji)于這種(zhong)思想提出的(de)。采用(yong)RISC指(zhi)(zhi)令(ling)集(ji)的(de)微(wei)處理器(qi)處理能(neng)力強,并(bing)且采用(yong)超標量和超流(liu)水(shui)線(xian)結構,大大增強了并(bing)行處理能(neng)力。

    嵌(qian)(qian)入(ru)式微處理(li)(li)器的種類極為豐富,32位的嵌(qian)(qian)入(ru)式微處理(li)(li)器就(jiu)有(you)10多種。從下(xia)圖可以看出,全球(qiu)僅有(you)4%的計(ji)算機處理(li)(li)芯(xin)片用于通用計(ji)算機中,而更多的則(ze)是用于嵌(qian)(qian)入(ru)式系統中。


全球微處理器芯片用途

    嵌入式微處理器內核按體系結構分類,可以分為以下幾個系列。
    ARM系列:只設計內核的英國公司(在1.3節會有詳細介紹)。
    MIPS系列:只設計內核的美國公司。
    PowerPC:為IBM公司和Motorola公司共有的內核。
    68K/COLDFIRE:Motorola公司獨有內核,有Motorola 68K等。

    各內核的特點(dian)及應用如下表所示。

嵌入式處理器內核特點及應用

    2.外圍設備

    外圍設(she)(she)備(bei)(bei)(bei)是指嵌(qian)入(ru)式系統中用于完成存儲、通信(xin)、調試、顯示等(deng)輔助功能(neng)的(de)其他部件。目前常用的(de)嵌(qian)入(ru)式外圍設(she)(she)備(bei)(bei)(bei)按功能(neng)可以分(fen)為(wei):存儲設(she)(she)備(bei)(bei)(bei)(如RAM、SRAM、Flash等(deng))、通信(xin)設(she)(she)備(bei)(bei)(bei)(如RS-232接口(kou)、SPI接口(kou)、以太(tai)網接口(kou)等(deng))和顯示設(she)(she)備(bei)(bei)(bei)(如顯示屏等(deng))。

    常見的(de)存儲設備有RAM、SRAM、ROM、Flash等,這些存儲設備在嵌(qian)入式系統開發過程(cheng)中是(shi)非常重要的(de)。

    (1)RAM、SRAM、DRAM。

    根(gen)據掉電(dian)數(shu)據是否丟(diu)失(shi),存(cun)(cun)儲(chu)器可以分為(wei)RAM(隨機存(cun)(cun)取(qu)存(cun)(cun)儲(chu)器)和(he)ROM(只(zhi)讀(du)存(cun)(cun)儲(chu)器),其中(zhong)RAM的(de)(de)訪(fang)問速度比較快,但掉電(dian)后數(shu)據會丟(diu)失(shi),而ROM掉電(dian)后數(shu)據不(bu)會丟(diu)失(shi)。人們通常(chang)所說的(de)(de)內(nei)存(cun)(cun)即指系(xi)統中(zhong)的(de)(de)RAM。

    RAM又(you)可分為SRAM(靜態存儲(chu)(chu)器)和DRAM(動態存儲(chu)(chu)器)。

    SRAM是利用雙穩態觸發器(qi)來保存信息的,只(zhi)要(yao)不掉電,信息是不會丟失的。

    DRAM是利用(yong)MOS(金屬氧(yang)化物半導體)電容存儲電荷(he)來儲存信(xin)息(xi)的(de),因此必須通(tong)過不停(ting)地給電容充(chong)電來維持信(xin)息(xi)。DRAM的(de)成本、集成度、功(gong)耗等明顯優于SRAM。

    通常(chang)人(ren)們所說(shuo)的(de)SDRAM是(shi)DRAM的(de)一(yi)種,它是(shi)同步(bu)動態存儲器(qi),利用單一(yi)的(de)系統時鐘同步(bu)所有的(de)地址數(shu)(shu)據(ju)(ju)和控制信號。使用SDRAM不(bu)但能提高系統表現,還能簡(jian)化設計、提供高速的(de)數(shu)(shu)據(ju)(ju)傳輸,在嵌(qian)入式(shi)系統中經(jing)常(chang)使用。

    (2)ROM、Flash。

    Flash是(shi)一種(zhong)非易(yi)失閃存技術,由于它具(ju)有和ROM一樣掉電數據不會丟失的特(te)性。Flash主(zhu)要分為(wei)NOR Flash和NAND Flash兩種(zhong)。

    NOR Flash的(de)特點是在芯片內(nei)執行(Execute In Place),這樣應用程(cheng)序可以直接在Flash內(nei)運行,不必再把(ba)代碼讀到系統RAM中。

    NAND Flash能提供(gong)極高(gao)(gao)的(de)單(dan)元(yuan)密度(du),可(ke)以(yi)達到高(gao)(gao)存(cun)儲密度(du),NAND讀和寫操(cao)作采(cai)用512字節(jie)的(de)塊,單(dan)元(yuan)尺寸幾乎是(shi)NOR器件的(de)一半(ban),同(tong)時由于生產過程(cheng)很簡單(dan),大(da)大(da)降低了生產的(de)成本。NAND Flash中每個塊的(de)大(da)擦寫次(ci)數是(shi)100萬次(ci),是(shi)NOR Flash的(de)10倍(bei),這些都使得NAND Flash越來越受到人們的(de)喜(xi)愛。

    它(ta)們之間(jian)的關系如下圖所示。


不同存儲器分類關系(xi)圖

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